El gigante electrónico coreano Samsung Electronics ha anunciado lo que afirma es la memoria comercial más rápida para tarjetas gráficas.
La compañía, que ya es el mayor fabricante mundial de chips de memoria, dice que ha construido un dispositivo DRAM GDDR3 (Graphics Double Data Rate 3) de 512 Mb y 2,0 Gbit por segundo.
Basado en un proceso de 90 nanómetros (nm), Samsung dice que el chip de gráficos de alta velocidad de 2,0 Gbps equivale a un rendimiento de 8,0 GigaBytes por segundo (GBps). La compañía dice que esto lo hace un 70 por ciento más rápido que los chips convencionales de 1,2 Gbps que se usan en las tarjetas gráficas actuales.
Se espera que 512Mb GDDR3 admita la velocidad de transmisión de datos más rápida para imágenes de mayor resolución en consolas de juegos de próxima generación, como la próxima Sony PlayStation 3 y Microsoft Xbox 360. La nueva generación de consolas dependerá de la memoria GDDR3 de alta velocidad para renderizar los juegos hiperrealistas de los que depende el éxito de las máquinas.
Además, es probable que los chips terminen en una nueva generación de tarjetas gráficas de los principales proveedores de PC como Nvidia y ATI.
Samsung cita datos de Mercury Research que estiman que el mercado global de DRAM para gráficos aumentará un 43 por ciento a $1.500 millones en 2005 y más de $2.000 millones en 2006.
No se ha anunciado ningún día de inicio para las cantidades comerciales de la parte de 2,0 Gbit. Sin embargo, Samsung dice que ha comenzado la producción en masa de su última generación de 1.6Gbps 512Mb GDDR3, que anunció en diciembre del año pasado.
Para aquellos que pueden hacer los cálculos, la parte de 1,6 Gbit puede generar velocidades de transmisión de 6,4 GBps. El GDDR3 de 1,6 Gbps estará disponible en tarjetas gráficas que tengan una densidad máxima de 1 GB mediante la combinación de dieciséis GDDR3 monolíticos de 512 Mb. El nuevo GDDR3 incorpora un paquete de 136 bolas estándar JEDEC.
