Spoločnosť Qualcomm v pondelok oznámila nový štandard rýchleho nabíjania, ktorý podľa neho prinesie zariadeniam rýchlejšie nabíjacie rýchlosti a lepšiu energetickú účinnosť za nižšiu cenu. Volaný Rýchle nabíjanie 3+, je to najnovší prírastok do rodiny rýchleho nabíjania spoločnosti Quick Charge, ktorú vedie Quick Charge 4+, ktorý bol predstavený už v roku 2017 so Snapdragonom 835.
Podľa Qualcommu bude nová technológia schopná vybiť batériu z 0-50 percent za 15 minút, čo je o 35 percent rýchlejšie ako predchádzajúce generácie. Bude tiež mať lepší tepelný manažment, udržiavanie teploty o 9 stupňov Celzia nižšie ako v prípade starších štandardov rýchleho nabíjania, vrátane rýchleho nabíjania Quick Charge 3.0. Neexistujú žiadne podrobnosti o presnom nastavení, ktoré spoločnosť použila na ich odvodenie výsledky.
Quick Charge 3+ bude pracovať so štandardnými káblami USB typu A-C a príslušenstvo, ktoré podporuje škálovateľné napätie s krokmi po 20 mV od Quick Charge 4, ktoré je cenovo dostupnejšie pre výrobcov OEM a spotrebiteľov. Je to tiež
spätne kompatibilné so zariadeniami rýchleho nabíjania predchádzajúcej generácie. Novšie zariadenia budú fungovať aj s príslušenstvom Quick Charge 3+, uviedla spoločnosť.Táto technológia je podporovaná dvoma novými PMIC, SMB1395 a SMB1396, pričom obe umožňujú výrobcom OEM implementovať QC3+ pomocou rovnaká implementácia softvéru a riešenie rôznych systémových požiadaviek, pokiaľ ide o dizajn PCB, umiestnenie IC nabíjačky, atď. bez potreby implementácie externého ochranného čipu prepätia (OVP) alebo snímacieho odporu.
Rýchle nabíjanie 3+ bude najskôr dostupný na Snapdragon 765 a Snapdragon 765G SoC, po ktorých budú v roku 2020 nasledovať ďalšie nové platformy Snapdragon naprieč úrovňami. Xiaomi Mi 10 Lite Zoom, poháňaný Snapdragonom 765G, je prvým smartfónom na svete s oboje Technológia nabíjania Quick Charge 4+ a Quick Charge 3+.
