Il colosso coreano dell'elettronica Samsung Electronics ha annunciato quella che sostiene essere la memoria commerciale più veloce per le schede grafiche.
La società, già il più grande produttore mondiale di chip di memoria, afferma di aver costruito un dispositivo DRAM GDDR3 (Graphics Double Data Rate 3) da 512 Mb 2,0 Gbit al secondo.
Costruito su un processo a 90 nanometri (nm), Samsung afferma che il chip grafico ad alta velocità da 2,0 Gbps equivale a un throughput di 8,0 GigaByte al secondo (GBps). L'azienda afferma che questo lo rende il 70% più veloce rispetto ai tradizionali chip da 1,2 Gbps utilizzati nelle schede grafiche odierne.
512 Mb GDDR3 dovrebbe supportare la velocità di trasmissione dei dati più veloce per immagini a risoluzione più elevata nelle console di gioco di prossima generazione come la Sony PlayStation 3 di prossima uscita e la Microsoft Xbox 360. La nuova generazione di console dipenderà dalla memoria GDDR3 ad alta velocità per rendere i giochi iperrealistici da cui dipende il successo delle macchine.
Inoltre, è probabile che i chip finiscano su una nuova generazione di schede grafiche dei principali fornitori di PC come Nvidia e ATI.
Samsung cita i dati di Mercury Research che stima che il mercato globale delle DRAM grafiche aumenterà del 43% a 1,5 miliardi di dollari nel 2005 e oltre 2 miliardi di dollari nel 2006.
Non è stato annunciato alcun giorno di inizio per quantità commerciali della parte 2.0Gbit. Tuttavia, Samsung afferma di aver avviato la produzione di massa della sua GDDR3 da 512 Mb da 1,6 Gbps di ultima generazione, annunciata a dicembre dello scorso anno.
Per coloro che sanno fare i conti, la parte da 1,6 Gbit può generare velocità di trasmissione di 6,4 GBps. La GDDR3 da 1,6 Gbps sarà disponibile in schede grafiche con una densità massima di 1 GB combinando insieme sedici GDDR3 monolitiche da 512 Mb. Il nuovo GDDR3 incorpora un pacchetto a 136 palline standard JEDEC.
